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二氧化硅plasma蚀刻设备(二氧化硅等离子体清洗机器)
来源: | 作者:金徕等离子处理设备 | 发布时间: 628天前 | 191 次浏览 | 分享到:
等离子体清洗原则和其他的优势原则是不同的,当接近真空的模块,射频功率,打开气体电离,等离子体,并伴随着辉光放电,等离子体加速电场下,因此高速运动的电场作用下,表面的物理碰撞,等离子体的能量足以去除各种污染物,二氧化硅等离子体清洗机器同时氧离子可以将有机污染物氧化成二氧化碳和水蒸气带出客舱。因此,二氧

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二氧化硅plasma蚀刻设备

因此,二氧化硅等离子体清洗机器CH的转化率与高能电子的数量和活性氧的浓度有关。二氧化碳的转化率与高能电子与二氧化碳分子的碰撞有关,这弹性或非弹性碰撞促进:(1)切断断裂的二氧化碳生成CO和O:二氧化碳,二氧化碳+ O + EThe消费的CH4 oxygen-active物种支持右翼的转变反应。(2)基态分子吸收能量和二氧化碳转换成激发态二氧化碳分子。显然,二氧化碳的转化主要依赖于前者。

一般认为,二氧化硅等离子体清洗机器以TEOS为沉积源沉积二氧化硅薄膜的PECVD技术对TBOS的分解反应如下:Si(OC2H)4(@) -sio2 (mesh + 4C2H(2) + 2H2Og。TEOS在等离子体中分解,形成固体二氧化硅沉积在基体上,其他分解产物为气态,随反应尾气排出。光谱图中Si和C-H的特征峰表明正硅酸乙酯在等离子体中确实发生了分解反应,并形成了硅化合物和一些碳氢化合物。

最后,二氧化硅等离子体清洗机器它会分解成像水和二氧化碳这样的简单分子。在其他情况下,当自由基与表面分子结合时,它们会释放大量的结合能,这些结合能反过来成为新的表面反应的驱动力,导致表面上的物质被化学去除。

二氧化硅等离子体清洗机器

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当能量密度高于1500 kJ/mol时,体系中电子的平均能量增加,大部分电子的能量逐渐接近二氧化碳C-O键的裂解能,二氧化碳的转化率迅速增加。同时,CH4转化率随能量密度的增加呈对数增长,CO2转化率随能量密度的增加呈线性增长。这可能与甲烷和二氧化碳在等离子体下的热解特性有关。

用湿化学过程是不同的,等离子清洗机是一种干燥处理技术,等离子清洗机是通常使用的气体,和普通气体,如氧气、氮气、压缩空气,不需要使用化学溶液(机),和无害的治疗主要是由二氧化碳和其他气体,作为反应物和产生的气体含量,不需要干燥,废水处理,所以等离子清洗机处理废水无废气可以实现。

如果您对等离子表面清洗设备有更多的疑问,欢迎咨询我们(广东金来科技有限公司)

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