置于腔室中的基板表面一般具有羟基或氢端反应活性位点，端子等离子表面处理机基板表面铜前驱体的饱和化学吸附量如下。活动站点的内容和密度密切相关。随着沉积循环次数的增加，基板表面的粗糙度缓慢增加，在实验开始时基板表面出现沉积，表明在初始生长阶段没有生长延迟，但在 10 内沉积是连续的循环，没有得到铜膜。

7、载荷应力：作用在实际接头上的应力比较复杂，端子等离子表面处理机如剪应力、剥离应力、交变应力等。 (1)剪应力：由于偏心拉力的影响，接头端部出现应力集中。除剪切力外，还有与界面方向相匹配的拉力和垂直于界面方向的撕裂力。此时，由于剪切应力的作用，接头的强度随着被粘物厚度的增加而增加。 (2)剥离应力：当被粘物为软质材料时，会产生剥离应力。此时，拉应力和剪应力作用在界面上，受力集中在胶粘剂与被粘物的界面上，容易损坏接头。

随着微电子器件的小原子层沉积（ALD）技术的快速发展，端子等离子表面处理机该技术对于高纵横比的沟槽和具有复杂三维结构的表面具有出色的台阶覆盖率。更重要的是，它是基于前体表面的。限制自化学吸附反应，ALD可以通过控制循环次数来精确控制薄膜厚度。在ALD工艺中，沉积材料的前体和反应的前体交替进入反应室。在此期间，未反应的前体被惰性气体吹扫，使反应气体交替进入自限沉积模式。近年来，许多研究人员使用原子层沉积技术沉积铜薄膜。

CH4 + E * & MDASH;> CH3 + H + E (3-1) CH3 + E * & MDASH;> CH2 + H + E (3-2) CH2 + E * & MDASH;> CH + H + E (3-3) CH + E * & MDASH;> C + H + E (3-4) CH4 + E * & MDASH;> CH2 + 2H (H2) + E (3-5) CH4 + E * & MDASH;> CH + 3H (H2 + H) + E (3-6) CH4 + E * & MDASH; C + 4H (2H2) + E (3-7) 自由基和下一个产品 A 之间的耦合发生反应。

端子等离子表面改性

官能团的极性增加。

端子等离子表面改性