SIH4 + SIH3 + N2 用于氮化硅沉积。温度为300℃,电池等离子除胶机器沉积速率约为180埃/分钟。非晶碳化硅薄膜是通过添加硅烷和含碳共聚物得到SIXC1+X:H得到的。其中 X 是 SI / SI + C 的比率。硬度超过2500kg/mm2。等离子将聚合物薄膜沉积在多孔基材上,以形成
SIH4 + SIH3 + N2 用于氮化硅沉积。温度为300℃,电池等离子除胶机器沉积速率约为180埃/分钟。非晶碳化硅薄膜是通过添加硅烷和含碳共聚物得到SIXC1+X:H得到的。其中 X 是 SI / SI + C 的比率。硬度超过2500kg/mm2。等离子将聚合物薄膜沉积在多孔基材上,以形成选择性渗透膜和反渗透膜。可用于分离混合气体中的气体,分离离子和水。