在非热力学平衡低温电晕中，电晕处理失效的影响因素电子具有更高的能量，可以打破材料表面分子的化学键，提高粒子的化学反应活性（高于热电晕），而中性粒子的温度接近室温。这些优点为热敏性聚合物的表面改性提供了适宜的条件。经低温电晕表面处理后，材料表面发生许多物理和化学变化，如刻蚀和粗糙，形成致密的交联层，或引入含氧极性基团，分别提高亲水性、附着力、染色性、生物相容性和电学性能。

离子轰击对清洗后的表面造成损伤，电晕处理机薄膜表面使其化学键减弱或形成原子状态，容易吸收反应物。离子碰撞加热了清洗后的物质，使其更容易反应；其效果不仅有较好的选择性、清洗率、均匀性，而且有较好的方向性。典型的电晕物理清洗工艺是氩电晕清洗。氩本身是惰性气体，电晕氩不与表面发生反应，而是通过离子轰击清洁表面。典型的电晕化学清洗工艺是氧电晕清洗。

电晕是物质的一种状态，电晕处理机薄膜表面也叫物质的第四状态。施加足够的能量使气体电离，就变成了电晕状态。电晕的“活性”成分包括：离子、电子、活性基团、激发核素（亚稳态）、光子等。电晕就是利用这些活性成分的性质对样品表面进行处理，从而达到清洗等目的。电晕产生的电晕“活性”成分包括离子、电子、活性基团、激发核素（亚稳态）、光子等。

在影响直接键合的因素中，电晕处理机薄膜表面表面处理对键合起着关键作用，其处理效果将直接影响键合能否发生以及键合后的界面效果，因为可能吸附在晶圆表面的污染物和晶圆表面的不均匀性最终可能导致键合孔的产生，并不同程度地影响晶圆表面的力学和电学特性。目前SiC的表面处理方法主要有传统的湿法处理、高温退火处理和电晕处理。其中，传统的湿法清洗处理主要由硅的湿法处理演变而来，主要有HF法和RCA法。每种治疗方法都有自己的特点。

电晕处理失效的影响因素

电晕表面治疗仪可引入纯钛表面，结合化学键合，相对稳定。用射频光放电电晕对纯钛表面进行改性，表明钛表面存在稳定的氨基键合。植物表面亲水性是影响种植体骨结合和细胞粘附的重要因素，因此保持植物表面亲水性至关重要。利用电晕表面处理仪以N2和NH3混合气体为气源对纯钛表面进行胺化改性，使纯钛表面具有一定的生物活性。。

射频电晕表面处理仪器中官能团的相对谱线强度可以反映气体的离解程度，同时也是金刚石沉积速率和质量的重要因素。作为衬底的尖端，在微波电磁场中电场强度大，其附近的离子剧烈运动，不断与其他粒子碰撞，增强了电晕密度。高强度的H谱线表明双衬底结构电晕能产生较高浓度的H自由基，H自由基能刻蚀sp′C和石墨等非金刚石相，从而增强沉积金刚石的质量。

射频单电极放电能量高、放电范围广，已广泛应用于材料的表面处理和有毒废物的去除与裂解。DBD电晕清洗在两个放电电极之间填充工作气体，其中一个或两个电极上覆盖绝缘介质，也可将介质直接悬浮在放电空间中当两电极之间外加足够高的交流电压时，电极间的气体就会分解产生放电，即产生介质阻挡放电。介质阻挡放电可以在高压和宽频率范围内工作。

在电晕清洁器作用下，CH4和二氧化碳直接转化生成C2烃类。碳氢化合物的主要产物为C2H2和C2H6。电晕功率的增加有利于C2H2的生成。CH被CO2氧化为C2烃类。甲烷转化率为31%，CO2转化率为24%，C2烃的选择性为64%。。CMOS工艺中电晕损伤WAT方法的研究；硅片透射检测是在半导体硅片的所有制造工艺完成后，检测硅片上各种检测结构的电性能。

电晕处理失效的影响因素

根据不同的使用环境和数据，电晕处理机薄膜表面一般采用不同放电机理的电晕技能。

同时，电晕处理失效的影响因素阳离子的冲击也增加了污染物分子在物体表面发生活化反应的机会。自由基在清洗金属表面中的作用；一般来说，在电晕中，自由基比离子多，电中性，寿命更长，能量更高。