当使用Cl2/Ar/H2的混合气体时,PCB等离子体蚀刻机器在150℃下得到良好的磷化铟图案,在高温下得到平滑连续的图案,但在150℃时的温度仍然很低。 2007年,清华大学报告了如何进一步优化气体比例和改善其他条件来克服这些问题。这种蚀刻方法克服了常温下难以挥发的副产物的难点。这高于 In,因为 CH4 与氯气的适当气体比例形成了 In (CH) x 副产物。Clx 更容易通过挥发去除。磷化铟具有低表面粗糙度并且不保留副产物。
压力对磷化铟蚀刻的影响。当压力增加时,PCB等离子体蚀刻副产物不断积累,选择性不断下降,蚀刻结束。在5Pa条件下,有和没有氮化硅硬掩模环境的蚀刻图案基本相同,但在10Pa条件下,没有氮化硅硬掩模,图案密度、副产物或聚合度都在高区。不同图案环境下蚀刻深度有较大差异,因为材料较多,蚀刻速率急剧下降。在 20 Pa 的压力下,蚀刻是可能的,因为聚合物的量太高而无法覆盖整个图案,并且无论图案周围的密度环境如何,蚀刻都无法进行。