在物理冲击中，半导体等离子体刻蚀机器离子能量越高，冲击越大。因此，如果以物理反应为主，则需要控制所执行的压力。该反应提高了清洁效果（效果）。未来半导体和光电材料的快速增长将增加该领域的应用需求。

在半导体制造过程中，半导体等离子体刻蚀需要（有机）和无机物质的参与。此外，由于人在洁净室中参与该过程，因此半导体晶片不可避免地被各种杂质污染。根据污染源和污染源的性质，大致可分为四类：颗粒物、有机物、金属离子和氧化物。 1）颗粒主要是聚合物、光刻胶和腐蚀性杂质。这种污染源通常主要依赖于吸附在片材表面的范德华引力，在光刻过程中影响器件的形状和电气参数。

结型晶体管，半导体等离子体刻蚀机器也称为场效应晶体管，是平面的（见图 3），可以通过多种平面工艺（扩散、掩蔽等）进行批量生产。因此，直到表面结晶体管的发明，晶体管的优越性才被充分认识，并逐渐被真空管所取代。巴丁、布拉顿和肖克利因对晶体管和结型晶体管的发明做出的贡献而获得了 1956 年的诺贝尔物理学奖。 DI作为半导体晶体管的用途之一是索尼的便携式收音机，它风靡全球，赚了很多钱。

（5）等离子清洗最大的技术特点是无论处理对象如何，半导体等离子体刻蚀都可以处理各种基板。金属、半导体、氧化物、高分子材料（聚丙烯、聚氯乙烯、四氟乙烯、聚酰亚胺、聚酯、环氧树脂、其他聚合物等）都可以用等离子处理，所以（6）使用等离子清洗时可以一边去污一边更换。使用材料本身的表面特性，例如改进的表面润湿性和改进的薄膜附着力。 3.1 等离子灰化 表面的有机层受到如下图所示的化学冲击。

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总之，等离子清洗技术是等离子清洗的结合材料物理、等离子化学、气固两相界面反应可以有效去除残留在材料表面的有机污染物，而不影响材料的表面和整体性能。选择。此外，等离子清洗技术对半导体、金属和大多数聚合物材料提供出色的处理效果，无论被处理的基材类型如何，都可以完成整体、局部和复杂结构的清洗。..只需完成自动化和数字化过程，这个过程就可以配备精确控制、精确控制时间和记忆能力。

(1)化学反应化学反应中常用的气体有氢气(H2)、氧气(02)、甲烷(CF4)等。这些气体在等离子体中反应形成高活性自由基。公式为：它进一步与这些自由基材料的表面反应。反应机理主要是利用等离子体中的自由基与材料表面发生化学反应，压力高时有利于自由基的产生，压力开始反应。 (2)物理反应主要是利用等离子体中的离子进行纯物理撞击，破坏材料表面的原子或附着在材料表面的原子。

C. 如果信号路径不匹配，可能会发生对环境的信号辐射。使用终端电阻器可以最大限度地减少由阻抗不匹配引起的问题。终端电阻通常是一个或两个独立的器件，位于靠近接收端的信号线上。一个简单的方法是串联小电阻。终端电阻限制信号的上升时间并吸收一些反射能量。请记住，使用阻抗匹配并不能完全消除破坏性因素。但是，通过仔细选择适当的组件，终端阻抗可以非常有效地控制信号完整性。

作为电子加速的机理，当电子与氩原子弹性碰撞并绕电场运行时，电子的速度和能量增加，如果满足上述条件，电子可以获得电离能。 . , 即使在电场强度很弱的情况下也可以获得电离能。使用这种机制，理想的电场频率范围通常在几千 MHz 左右。有学者将这一机制延伸，认为从壁面和阴极发射的二次电子加速后，进入光放电区，成为属于二次电子扩散现象的额外电子源。

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这些定位器壁外表面上的空间正电荷层或“护套”的尺寸通常小于 1 厘米。豆荚来自电力离子和离子迁移率之间的差异。在等离子体中扩散的电势往往会捕获电子并将阳离子推入鞘层。这是因为电子首先吸收来自电源的能量，半导体等离子体刻蚀然后加热到数万度，而重粒子实际上处于室温。由于低压等离子体的这种非热力学平衡特性，它具有重要的工业应用。

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