主要控制要求是光致抗蚀剂压下工艺各周期压下尺寸的均匀性、边缘粗糙度控制、整片晶圆上压下尺寸的均匀性、SiO2/Si3N4蚀刻工艺中光致抗蚀剂的选择性。台阶宽度的精度决定了后续接触孔能否正确连接到指定的控制网格层。由于要求每一步的宽度（即每一个控制栅层的延伸尺寸）为数百纳米，pe膜附着力树脂助剂以便后续的接触孔能够安全、准确地落在所需的控制栅层上，因此循环工艺中的每一个光刻胶掩模层缩减工艺需要单边缩减数百纳米。

硅材料（蚀刻设备用）（6英寸、8英寸、12英寸）和单晶硅材料（用于晶圆制造）（13-19英寸）。蚀刻是去除晶片表面材料以满足集成电路设计要求的过程。目前，pe膜附着力不好的原因干法刻蚀工艺在芯片制造工艺中得到广泛应用。蚀刻机销售额约占晶圆制造工艺的24%，是晶圆制造的重要环节。公司产品以蚀刻用单晶硅材料为主，用于用蚀刻机加工硅电极（蚀刻用单晶硅零件）。

一、常压DBD等离子体清洗机的准辉光等离子体：辉光放电在常压状态下形成时，pe膜附着力不好的原因必须达到一定的初始电子密度，当将要电离的电子密度足够大时，才能产生大面积辉光放电，使初始雪崩头能够相互重叠、合并，同时也使切向空间电荷的电场梯度相对较低。在剩余气体中，气体纯度、气体粘附、存在亚稳态、电子和离子对气体电离强度有很大影响。

(4) 需要对干扰源或易受干扰的模块进行屏蔽，pe膜附着力不好的原因并将屏蔽罩充分接地。图 9-3 显示了屏蔽的布局。抑制热干扰 5 (1) 加热元件必须放置在容易散热的位置。如果需要，可以安装单独的散热器或小风扇来冷却并减少对相邻物体的影响。元素如图9-4所示。 （2）耗电量大的集成块、高输出管、电阻等，必须放置在容易散热的地方，并与其他部位保持一定距离。

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通过应用低温等离子清洗机的表面处理技术进行前处理，提高了重要部位非极性原料的活性，提高了瞬干胶的粘合性，使大灯贴合牢固，长期使用，可确保密封。 等离子清洗机（PLASMA CLEANER）又称等离子刻蚀机、等离子脱胶机、等离子活化剂、等离子清洗机、等离子表面处理机、等离子清洗系统等。等离子加工机广泛用于等离子清洗、等离子蚀刻、等离子晶圆剥离、等离子镀膜、等离子灰化、等离子活化、等离子表面处理等。

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