这种设计是灵活的，氧plasma蚀刻机器用户可以移动货架配置合适的等离子体刻蚀方法:反应等离子体(RIE)，下游等离子体(downstream)，方向等离子体。直接等离子体，又称反应离子蚀刻，是等离子体的一种直接蚀刻形式。它的主要优点是高刻蚀速率和高均匀性。直接等离子体腐蚀小，但工件暴露在射线区。下游等离子体是一种较弱的工艺，适用于去除1到5nm的厚度一个薄层。在辐射区域或等离子体中，存在对工件的损伤。

半导体的污染杂质和分类半导体生产需要一些有机和无机材料参与到最后，氧plasma蚀刻另外，由于过程总是在净化室被人参与，所以半导体晶圆难免受到各种杂质的污染。按照污染物的来源和性质，可大致分为微粒、有机物、金属离子和氧化物。1.1微粒微粒主要是聚合物、光刻胶和蚀刻杂质。这些污染物主要依靠范德华引力吸附在晶圆表面，并影响光刻过程中的几何图案和电学参数的组成。

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