根据来自电场的电子，外延片plasma刻蚀机器W=1EV，1EV=1.6×10-19库仑×1伏=1.6022×10-19焦耳，1EV对应的温度为11600K（开尔文；开尔文）。等离子体主要通过粒子之间的碰撞相互传递能量，达到热力学平衡，但由于不同类型粒子之间的碰撞概率不相等，能量传递并不相等。一般来说，相同粒子之间发生碰撞的概率较高，能量传递有效，碰撞容易达到平衡，且各自服从麦克斯韦分布，有各自的热力学平衡温度。

氮化硅薄膜层用于形成侧墙，外延片plasma刻蚀机器以控制硅锗沟槽到栅极的距离。下氧化硅层是等离子处理器的蚀刻停止层，并且是与氮化硅层一样的应力缓冲层。然后，光刻工艺用光刻胶覆盖 MIMO 区域并暴露 MIMO 区域。接下来，您需要在 MIMO 区域形成一个侧壁间隔。侧壁等离子处理器的主要蚀刻一般使用 CF4 气体来蚀刻掉大部分氮化硅，使其不接触下面的硅。

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同时，由于阳离子漂移率远小于电子漂移率，阳离子空间电荷区的电荷密度远高于电子空间电荷区的电荷密度，整个极间电压几乎集中。增加。靠近阴极的狭窄区域。这也是辉光放电的一个显着特点，正常辉光放电不会因为电流的变化而改变两个电极之间的电压。使用等离子清洗机的工艺在工艺过程中使用多种气体。不同气体的能级有不同的能量转换，不同的工艺气体表现出不同的发射特性，从而产生不同的颜色特性。

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