由于CH3-CH3键的键能为3.8eV，电晕处理机安装视频CH3CH2-H键的键能为4.2eV（电晕中电子的平均能量为6eV)，C2H6分子在电晕作用下以以下方式离解：C2H6+E*&Rarr；CH3+CH3+e(3-38)C2H6+E*&Rarr；C2H5+H+E(3-39)同样，CO2分子与高能电子的非弹性碰撞促进了C-O键的断裂和活性氧的形成：CO2+E*&Rarr；CO+O-(3-40)CO2+E*&Rarr；CO+O+E(3-41)活性氧与C2H6分子发生无弹性碰撞，形成C2H4和C2H2终身；C2H6+0&RARR；C2H4+H2OC2H6+O-&Rarr；C2H4+H2O+e(3-42)C2H6+2O&RARR；C2H4+H2O，C2H6+2O-&RARR；C2H2+2H2O+2E(3-43)因此，随着反应体系中CO2添加量的增加，更多的氧物种与乙烷反应生成乙烯和乙炔。

但不能去除碳和其他非挥发性金属或金属氧化物杂质。光刻胶的去除过程中常采用电晕清洗。在电晕反应体系中引入少量氧气，电晕处理机老跳闸的原因在强电场作用下，氧气产生电晕，使光刻胶迅速氧化为挥发性气体状态，抽走物质。该清洗技术操作方便，效率高，表面清洁，无划痕，有利于保证产品质量。而且它不需要酸、碱和有机溶剂，因此越来越受到人们的重视。。

（3）链转移反应：H+C2H6&RARR；C2H5+H2(3-29)CH3+C2H6&RARR；C2H5+CH4(3-30)CH3+E*&Rarr；CH2+H(3-31)CH2+E*&Rarr；CH+H(3-32)CH+E*&RARR；C+H(3-33)（4）链终止反应：CH3+H&RARR；CH4(3-34)CH2+CH2&RARR；C2H4(3-35)CH3+CH&Rarr；C2H4(3-36)CH+CH&RARR；C2H2(3-37)低温常压下，电晕处理机安装视频纯乙烷在电晕作用下可脱氢生成乙炔；、乙烯、少量甲烷和积碳，但存在转化率低、反应器壁积碳等问题。

该清洗系统包括进料区、清洗区、下料区和可在进料区、清洗区和下料区之间往复移动的装载平台。

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引线键合前，可利用气体电晕技术对芯片接头进行清洗，以提高键合强度和成品率。在芯片封装中，在键合前对芯片和载体进行电晕清洗，提高其表面活性，可以有效防止或减少空隙，提高附着力。另一个特点是增加了填料的边缘高度，提高了封装的机械强度，降低了界面间因材料间热膨胀系数不同而形成的剪应力，提高了产品的可靠性和使用寿命。

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