La203/ Y-al2o3催化剂吸附甲基自由基，cob除胶设备促进了C2烃的生成。与La203/ Y-al2o3催化剂不同，Nd2O3/Y-Al203催化剂倾向于吸附含氧自由基，值得注意的是，CeO2/Y-Al203与等离子体表面处理器一起，在CO2氧化CH4生成C2烃类反应中表现出良好的催化活性。这与CeO2/Y-Al203在CH4催化氧化偶联反应中的作用明显不同。

通过等离子体清洗机的表面处理,可以改善材料的表面的润湿能力,以便各种材料涂层,涂层和其他操作,提高附着力,债券,同时去除水中的有机污染物、石油或greaseSemiconductor包装行业,包括集成电路,离散设备、传感器和光学电子封装、经常使用金属引线框架和改善塑料粘结和密封的可靠性,一般几分钟的金属支架,等离子清洗机处理去除有机物,增加表面的污染物,其可焊性和附着力。

等离子体刻蚀对低钾TDDB的影响主要体现在两个方面:一是等离子体刻蚀造成的低钾损伤;另一个是蚀刻所定义图案的大小和均匀性。低k材料SICOH沉积后，cob除胶机器材料分子的网络结构是稳定的，排列有规律，但蚀刻过程中断了这种结构。所述槽的侧壁形成大量的不完整结构，即缺陷。与此同时，等离子体中的氧离子会钻进多孔的low-K结构中，与其分子结构末端甲基基团中的C结合并带走，导致表面碳消耗，进一步破坏low-K结构。

一般认为，cob除胶设备在等离子体发生器条件下，甲烷产生乙炔通过以下两条途径:当CO2浓度从15%增加到35%时，C2烃产率略有增加。随着CO2浓度的进一步增加，C2烃产率逐渐降低。这是因为在CO2浓度较高的情况下，体系中过量的活性氧一方面与CH4分子反应生成氧化产物，另一方面与生成的C2烃类产物反应，促进C2H6、C2H4、C2H2转化为氧化产物。

cob除胶

20年来致力于等离子清洗机的研发，如果想了解更多的产品细节或者在设备的使用中有疑问，请点击在线客服，锣等你的电话!。随着智能手机的飞速发展，人们对手机摄像头的像素要求越来越高。如今，传统的CSP包装工艺生产的手机摄像头模块像素已经不能满足人们的需求。COB/COG/COF包装工艺生产的手机摄像模块在今天的千万像素手机上得到了广泛的应用，但由于其工艺特性，其成品率通常只有85%左右。

等离子体清洗机在半导体晶圆清洗技术中的应用随着半导体技术的不断发展，对加工工艺的要求越来越高，特别是对半导体晶圆表面质量的要求越来越苛刻，主要原因是颗粒和金属杂质污染表面的晶片将严重影响设备的质量和产量,在目前的集成电路生产,由于waferContamination的表面问题,仍然超过50%的材料。在半导体制造过程中，几乎每一个过程都需要晶圆清洗，晶圆清洗的质量对器件性能有着严重的影响。

等离子体设备发射的离子与空气中的尘埃粒子和固体粒子相撞，粒子发生动力聚合，形成大颗粒，借助自身的引力沉降，实现净化、离子与燃烧、异味等室内静电作用，同时有效破坏空气细(菌)环境，使室内低浓度细(菌)在大气压力下下降，通过陡、脉宽(尖端)端(纳秒)的高压脉冲电弧放电，出现大量高能电子和-o、- OH、HO2 -活性粒子，如能量相对较高的粒子具有较强的离子能活动性，含硫化合物和其他碳氢化合物、醇类可被氧化成CO2和H2O，并分解有异味的(机)分子，将污染物转化为无害物质。

等离子清洗机治疗可以提高ITO表面形态更好,可以看到,在ITO表面氧腔显著增加,和一层带负电荷的氧气丰富表面上,形成一个界面偶极层,提高ITO表面功函数大大提高ITO的孔注入能力。等离子清洗机主要用于液晶显示器行业在玻璃基板(LCD)上安装裸芯片IC (bare chip IC)的The COG过程。当芯片在高温下进行粘结和硬化时，基体涂层的组合物在粘结填料的表面沉积。

cob除胶机器

如果增强纤维与基体之间的粘结不好，cob除胶机器应力不能很好地传递，反而会产生应力集中源，从而导致复合材料的力学性能下降。经等离子体处理后，UHMWPE纤维与环氧树脂的粘结强度提高了4倍以上。结果表明:聚乙烯纤维经Ar、N2、CO2等气体等离子体处理后，PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)与聚乙烯纤维的结合增强。其韧性指数和断裂强度，等离子体处理高强度PE纤维可以提高纤维-环氧复合材料的粘结强度。