等离子清洗涉及蚀刻技术领域，电晕处理对金属的影响完全满足蚀刻技术后去除硅片表面残留颗粒的清洗要求。等离子清洗法在蚀刻过程中，稻米颗粒的来源有很多：蚀刻气体例如，C12、HBr、CF4等具有腐蚀性，硅片腐蚀后表面会产生一定数量的颗粒。反应室的石英罩在等离子体轰击下也会产生石英颗粒；长时间蚀刻时反应室内衬也会产生金属颗粒。刻蚀后硅片表面残留的颗粒会阻碍导电连接，导致器件的损坏。因此，对刻蚀过程中颗粒的控制是非常重要的。。

由柔性覆铜板（以下简称“柔性覆铜板”）制成的柔性印制电路在该领域发挥着越来越重要的作用。柔性覆铜板(FCCL)是由金属导体材料和介质基底材料通过胶粘剂粘合而成的复合材料。该产品可任意缠绕成轴状而不折断其中的金属导体或介电基片。对于刚性覆铜板，金属表面电晕处理设备即使很薄，其介电基体材料在外力弯曲时也容易断裂。大多数挠性覆铜板的总厚度小于0.4mm，通常在0.04-0.25mm之间。

但不能去除碳和其他非挥发性金属或金属氧化物杂质。光刻胶的去除过程中常采用等离子体清洗。在等离子体反应体系中引入少量氧气，电晕处理对金属的影响在强电场作用下，氧气产生等离子体，使光刻胶迅速氧化为挥发性气体状态，抽走物质。该清洗技术操作方便，效率高，表面清洁，无划痕，有利于保证产品质量。而且它不需要酸、碱和有机溶剂，因此越来越受到人们的重视。。

3.气体产生的自由基和离子具有很高的活性，金属表面电晕处理设备其能量足以打破几乎所有的化学键，在任何暴露的表面上引起化学反应。等离子体中粒子的能量一般在几到几十电子伏特左右，大于高分子材料的结合键能（几到十电子伏特），可以完全打破有机大分子的化学键，形成新的键；但远低于高能放射性辐射，仅涉及材料表面，不影响基体性能。等离子体可以通过直流或高频交流电场产生。

金属表面电晕处理设备

同时对材料表面产生影响，可促使吸附在表面的气体分子解吸或分解，也有利于引发化学反应；当材料表面带负电时，带正电荷的离子会加速对其的冲击，溅射效应会去除附着在表面的颗粒状物质；血浆中自由基的存在对清洗具有重要意义。由于自由基易与物体表面发生化学链式反应，产生新的自由基或进一步分解，最后可能分解成易挥发的小分子；紫外线具有较强的光能和穿透能力，可穿透材料表面深达数微米，使附着在表面的物质分子键断裂分解。

考虑到对环境的影响、原材料的消耗以及未来的发展，干洗明显优于湿洗。其中，等离子体清洗是发展较快且优势明显的一种。等离子体是指电离气体，是由电子、离子、原子、分子或自由基组成的集合体。

相信在不久的将来，等离子体清洗设备和技术将以其在健康、环保、效益、安全等诸多方面的优势逐步取代湿式清洗技术，特别是在精密零件清洗、半导体新材料研究和集成电路器件制造等方面，等离子体清洗具有广阔的应用前景。我们对等离子清洗技术进行了一定程度的研究，希望能与各国同行就干洗技术进行有益的探讨和交流。。

运动动能和振动动能以温和的方式加热表面，解离和激发态产生的自由基在平移或振动中传递热量。如果能量超过阈值，就可能引起溅射，并伴随自由基团簇的产生。除溅射过程外，等离子体中的自由基是脱除碳氢化合物的重要因素。。很多客户会询问等离子设备的温度，主要是担心在处置产品或部件时，等离子设备表面会因等离子温度过高而受损。

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简单来说，金属表面电晕处理设备主动式清洗台将多个晶圆一起清洗，优点是设备成熟，生产率高，而单片晶圆清洗设备逐片清洗，优点是清洗精度高，背面、斜面、边缘都可以进行有益清洗，一起防止晶圆之间的穿插污染。45nm之前，主动清洁台可以满足清洁要求，现在仍在使用；而45以下的工艺节点则依赖于单片晶圆清洗设备来满足清洗精度要求。在工艺节点数量不断减少的情况下，单片清洗设备是未来可预见技术下清洗设备的主流。