在均匀电晕中，电晕机陶瓷国内代理离子和电子电流在一个射频周期内部分平衡，栅氧化电位很小。但在非均匀电晕中，局域电位不平衡会在晶圆表面产生电流路径，造成栅氧化层损伤。（3）电子遮蔽效应（电极遮蔽效应）。电晕中的电子比离子的方向性小也就是说，电子的入射角分布比离子的入射角分布大，更容易被光刻胶屏蔽，正离子聚集在刻蚀前端对器件形成正电位。（4）反向电子遮蔽效应。

真空电晕/蚀刻机的制造设备上装有两个金属电极，电晕机陶瓷电极和铝电极使密闭容器内的两个金属电极产生电磁场。真空泵使气体的真空度变薄，分子间的距离和分子或离子的自由运动距离变长，从而产生电晕。这些离子具有很高的活性，能量会破坏大部分化学键可以在任何暴露的表面上引起化学反应。不同气体的电晕具有很高的化学性质。例如，氧电晕氧化性高，可以使电晕产生更好的清洗效果，具有更好的各向异性，符合腐蚀标准。

当Vs>Vp时，电晕机陶瓷电极和铝电极电极附近形成的电场会吸引电子，排斥离子。结果表明，电子密度大于离子密度(NE>Ni)。随着电场强度的增加，在离电极一定距离内形成由电子组成的空间电荷层，即电子鞘层[图1-2(b)]。图1-2电极附近形成的电晕鞘层浮衬底处护套：当电晕插入绝缘材料时，由于电流无法通过，到达绝缘体表面的带电粒子或在表面彼此重新结合，或返回电晕区。

此外，电晕机陶瓷国内代理由于工艺始终由人在洁净室进行，半导体晶圆不可避免地受到各种杂质的污染。根据污染物的来源和性质，大致可分为四类。氧化物暴露在氧气和水中的半导体晶片表面会形成自然氧化层。这种氧化膜不仅阻碍了半导体制造的许多步骤，而且含有一些金属杂质，在一定条件下会转移到晶圆上形成电缺陷。这种氧化膜的去除常通过在稀氢氟酸中浸泡来完成。有机质有机杂质来源广泛，如人体皮肤油、细菌、机油、真空油脂、光刻胶、清洁溶剂等。

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处于电晕状态的物质有以下几种：高速运动的电子；处于活化状态的中性原子、分子和原子团（自由基）；电离原子和分子；未反应的分子、原子等，但物质作为一个整体保持电中性。

根据C2烃的选择性，催化剂的活性顺序为La2O3/Y-Al2O3>CeO2/Y-Al203&ASYMP；Pr2O11/Y-Al203>Sm203/Y-Al2O3>Nd203/Y-Al2O3。与镧系催化剂对C2烃产率的影响相比，C2烃选择性的顺序基本一致。虽然La2O3/Y-Al2O3催化剂与电晕结合的甲烷转化率较低，但由于C2烃的选择性高于其他稀土催化剂，所以C2烃的产率高于其他稀土催化剂。

在电晕中，存在着以下物质：处于高速运动过渡态的电子，处于激发过渡态的中性原子、分子和原子团（自由基）；电离的原子、分子、分子解离反应时产生的紫外线、未反应的分子、原子等，但物质整体保持电中性。电晕清洗的机理主要依靠电晕中活性粒子的“活化”来去除物体表面的污渍。

电晕产生的电晕包括高活性的电子、离子和自由基。这些颗粒很容易与产品表面的污染物发生反应，Zui最终会形成二氧化碳和水蒸气排出，以增加表面粗糙度，清洁表面。电晕可以形成自由基清除产品表面的有机污染物，活化产品表面，旨在提高产品的附着力和表面附着力的可靠性和耐久性。还能清洁产品表面，提高表面亲和力（滴角滴），增加涂层体附着力等效果。

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